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GE Fanuc IC660TSD100端末組は,GE Fanucによって製造されています.

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  • GE Fanuc IC660TSD100端末組は,GE Fanucによって製造されています.
GE Fanuc IC660TSD100端末組は,GE Fanucによって製造されています.
商品の詳細:
起源の場所: アメリカ合衆国
ブランド名: GE
証明: Does not supply
モデル番号: IC660TSD100
お支払配送条件:
最小注文数量: 1
価格: 交渉可能
パッケージの詳細: オリジナルの箱に
受渡し時間: 5~8作品
支払条件: T/T
供給の能力: 100
連絡先
詳細製品概要
部品名: IC660TSD100 Sku: IC660TSD100
メーカー: GE Fanuc タイプ: 末端アセンブリ
実用温度: 32から140の華氏温度 貯蔵温度: 0から60の摂氏温度

GE Fanuc IC660TSD100端末組は,GE Fanucによって製造されています.


 
製品説明

 

IC660TSD100端末組は,GE FanucのPLCコンポーネントである.IC660TSD100端末組は,IC660BBD100/101I/Oブロックと使用するように設計されている.IC660BBD100 I/Oブロックは8回路を持つ115ボルトの ACブロックですIC660BBD101 I/Oブロックは,8つの回路を備えた115ボルト ACの低リーク I/Oブロックです.GE Fanuc I/Oブロックは,電子装置とIC660TSD100のような端末装置という2つの主要部品で構成されています.I/Oブロックのアクティブコンポーネントは電子装置の一部である.電子装置はフィールド配線に障害を及ぼさずに変更または交換することができる.IC660BBD100/101 I/Oブロックのフィールド配線接続はすべてIC660TSD100端末組に作られていますさらに,ブロック構成データは端末組の一部であるEEPROMに保存されます.

 

IC660BBD101 I/Oブロックは約4ポンドの重み,約8.8 x 3.5 x 3.9インチを計測する.ブロックからブロックへの隔離評価は1500ボルトである.8インプットと43で16ワットです..5ワット,出力8個で2アンパースで動作する.単一ソースの動作電圧範囲は93〜132ボルト ACである.IC660BBD101 I/Oブロックは47〜63ヘルツの周波数をサポートする.IC660BBD101 I/O ブロックの各回路は,出力として設定できます., 入力,または三状態入力として.出力として構成された回路は,RMS出力電流は2A,ピークインラッシュ電流は25A,そして35°Cから60°Cのピークブロック出力電流15〜35Amp出力回路では,推奨される最小抵抗負荷は25ミリアンプで,推奨される最小誘導負荷は40ミリアンプである.IC660BBD101 I/O ブロックの動作温度と貯蔵温度範囲は 32 ~ 140 °F と -40 ~ 212 °F, に対応する.


 テクニカル仕様

 
ブランド GE Fanuc
シリーズ ジーニアス
部分番号 IC660TSD100
製品タイプ ターミナル組
互換性 IC660BBD100とIC660BBD101

 

動作温度 摂氏32度から140度
貯蔵温度 -40度から212度まで
I/O ブロックごとに回路の数 8
サポートされたメモリ EEPROM
ブロック構成データ格納 EEPROMにおいて
 

GE Fanuc IC660TSD100端末組は,GE Fanucによって製造されています. 0
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